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编译服务: 光电情报网信息监测服务平台 编译者: husisi 编译时间: 2022-7-6 点击量: 13

近日,长江存储取得重大技术突破,正式打破韩国三星垄断,目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产,预计年底实现大规模量产交付。

长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离,长江存储直接越级跳过了96层,直接进入了128层3D NAND 闪存的研发,并成功在2020年正式宣布研发成功,它是业内奇迹般的崛起,拥有全领域最高单位面积的存储密度,这些,长江存储只用了3年的时间,完成了同领域需要6年才能走完的路。

目前,三星在存储芯片的层数最高量产是192层,也就是现在的世界顶尖水平,200层以上,韩国三星还没能突破技术瓶颈,无法达到量产的水平。此前,长江存储已经 推出了UFS3.1规格通用闪存芯片--UC023,要知道,在这一方面,NAND闪存的最高规格也就是US3.1,至于更高更先进的,韩国三星还仅存在于理论层面,没有技术支持,那么,这些意味着什么呢?

科学技术是第一生产力,创新是引领发展的第一动力,长江存储的技术突破带领国家发展走向更加现代化、科技化的道路,长江存储的成功,离不开自身对科研发展的热爱和追求,同时也离不开国家对科研工作的大力支持。现在长江存储的NAND 闪存芯片应用非常广泛,依托中国这个全球最大的市场,加上中国力推芯片自主化,长江存储得到了前所未有的发展机遇,如今除了华为,长江存储也打入了苹果供应链,为iPhone SE 3供应闪存芯片,这也是中国科技力量最好的体现。

当然,客观来讲,我们在这一领域需要努力的地方还有很多,毕竟我国起步较晚,加上西方国家对核心技术的恶意封锁,导致我们需要付出比常人更多的努力,但从成果来看,我们已经取得了跨越性进步。另外,在行业里看,其他厂商的发展速度也不能忽视,三星还在追赶224层3D闪存芯片的量产计划,所以从这个维度来看,我们离全球最顶尖水平还有1到2年的时间,不过我们相信,用不了多久,一定可以消除这个差距。

总体来讲,长江存储的192层3D NAND闪存芯片,是中国芯片发展的一大里程碑,同时它也意味着,国产存储芯片在追赶美国、韩国顶尖企业的道路上,又迈进了一大步,由此可以带动其他芯片技术和相关产业的发展,只有掌握科学技术的核心,才能真正改变人类生产生活的方式,进而影响世界发展格局,这些都是我们努力就可以做到的事情,弘扬科学精神、传播科学思想,是我们新一代年轻人应该为社会发展、构建人类命运共同体做出的贡献。

 
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