微电子和光电器件的性能得益于所使用的半导体材料同时具有高电子和空穴迁移率和高导热系数。随着技术的进步，微电子和光电器件的性能不断提升。现阶段最常使用是导体如硅（电子迁移率：1400cm2V−1s−1，空穴迁移率：450cm2V−1s−1，导热系数：140Wm−1K−1）和砷化镓（电子迁移率：8500cm2V−1s−1，空穴迁移率：400cm2V−1s−1，导热系数：45Wm−1K−1）已经难以满足芯片和传感器的性能提升需求，因此学界和业界的目光都移向了下一代高载流子迁移率高导热率的半导体材料。石墨烯和金刚石都是候选材料，但是各自都有难以弥补的缺陷，如石墨烯的片层结构使得石墨烯片与片之间的导热率和载流子迁移率都很低，而金刚石则是能带间隙过大导致难以有效掺杂。理论计算表明，立方砷化硼具备下一代半导体材料所需的所有性能，包括高导热率和高双极载流子迁移率，但是在实际测量过程中并没有测得相应的性能。

在近日的Science连续登出两篇利用两种不同方法证实立方砷化硼具备高载流子迁移率性能的文章，分别为国家纳米中心刘新风团队联合休斯顿大学包吉明教授和任志锋教授联合发表题为“High ambipolar mobility in cubic boron arsenide revealed by transient reflectivity microscopy”的文章（详细报道：立方砷化硼，一天2篇Science!）和MIT陈刚院士和休斯顿大学任志锋教授联合发表题为“High ambipolar mobility in cubic boron arsenide”的文章。二者所采用的方法不同却都检测到立方砷化硼的高载流子迁移率。这些发现表明立方砷化硼是唯一已知的具有高载流子迁移率和高导热率这种理想特性组合的半导体，是下一代微电子应用的理想材料。先前的报道中，主要介绍了刘新风团队的成果，今天给大家带来了陈刚院士成果的介绍。